Güneş pili teknolojisi yaygıngüneş ışığından elektrik üreten bir elektrik alanı oluşturmak silikon diskleri oluşturmak için kullanılır . Güneş hücreleri hesap makineleri, telekomünikasyon ekipmanları , güneş panelleri ve diğer uygulamalar dahil olmak üzere , geniş bir yelpazede kullanılmaktadır . Çoklu teknikleri serigrafi güneş hücreleri için vardır; Ancak ,temel yapıtaşıaynı kalır – bir ” katkılı substrat ” ya da silikon gofret kullanımı ve diğer bileşenleri ekleyin. Üretim süreci Sen
Sinterleme fırın
Fosfor gazı Silikon gofret
Bor
Gümüş macun
ihtiyacınız olacak bir çok ayıklanmış ve tertemiz environment.Things yer almalıdır Plazma gazı

Daha Talimatları show
Metal temas
1

.0.55 mm kalınlığında ve 10 10 cm.lik kare olan bir silikon gofret ile başlayın . Gofret bor küçük miktarlarda gerektirirdoping sürecini tamamlamış olmalıdır . Kaplama , çünkü bileşen kesmek için kullanılan dairesel testere kaynaklanandüzensiz yüzeyin akışkan kesmegofret .
2 < p> silikon gofret temizleyin ve dış katmanı çıkarmak için alkalik bir iz uygulayın. Mümkün olduğunca vedoğru derinlikte kısa süredegofret temizleyin . 800 ila 1000 Celsius bir sıcaklıkta bir sinterleme fırında silikon gofret ısıtın. Fosforlu gaz ortamda bu adımı gerçekleştirin ; gofretdış katmanları içine bu prosedür güçleri fosfor
3 < p> İki gofret Stack . ; silikon gofretkenarlarındakavşak çıkarmak için plazma gaz kullanmayın . Plazma aşındırmagüneş hücresininarka ile temasını önlemek içinön kavşak kaldırır . Ekranhücreninarkasını yazdırın. Metal macun ile birlikteekranı indirin . Bir arka yüzey alanının daha iyi bir performans hücreyi oluşturur gümüş macun kullanın . Yapışabilir kişi oluştururgümüş macun , ikinci bir baskı uygulayın .
4 < p >ekran vesilikon gofret arasında uygun bir ” ek -off ” mesafe var emin olun . Ekran boyuncasilecek mekanizmasını hareket ettirin . Devam etmeden öncesileceğinhızını ve basıncını kontrol edin. Bu eylemyazdırma ekranındaperforasyon yoluylametal macunu zorlar . Daha yüksek bir sıcaklıkta ikinci bir fırın içinde hücre yerleştirin , fakat silikon gofretin erime noktasının altında – 1410 santigrat derece . Busilikon gofretmetal temas bağlar .
5 < p >ekranını çıkarın . Gofret şimdi metal macun kalın bir tabaka vardır . Macun organik bağlayıcı ve çözücüler kaldırırfırında , kurumaya bırakın. Ateşleme aşaması, p-tipi büyük bir kısmı iletemas eder , metal yardımcı arka – n tabaka yıkan . Ön tarafahücreyi açın veişlemi tekrarlayın . 500 ila 800 Celsius bir sıcaklıkta bir sinterleme fırındasilikon ısıtın. Bu adım, metal macunu patlar vesilikon gofret için sigortalar . Bir güneş paneligüneş pili çevreliyor.