Bir tükenmesi Bölgesinde Gerilim hesaplayın nasıl . Bu devrelerin performans atomlu sıralı bir dizi ya da bir elektron kristal kafes içinde davranışından kaynaklanmaktadır. Genellikle,kafes malzemenin elektron sayısını artırmak ya da azaltmak için ilave ” dotasyon maddeleri ” ile , silisyum atomlarının bir temel malzemeden yapılır. ” p -tipi ” terimi ile karşılaştırıldığında elektron sayısını azaltır bor gibi bir takviye sahipken
” N -tipi” yarı iletken , bu tür ilave elektron getirir fosfor gibi bir takviye getirerek yapılır baz materyali . Ilginç özellikleri n-ve p -tipi malzemeler birbirleri ile temas haline getirilirbirleşme , yer alır . Olurşeylerden birin- tipekstra elektronlarp – tarafına onların yol yapmak , denilen vep – tarafındaeksik elektronlar , “delik “n- yan onların yol yapmak olduğunu . Arasındabölgesi bu nedenle adı ” tükenme bölgesi. ” , Şarj boşaltılır talimatlar 1 temel malzemeniniçsel taşıyıcı yoğunluğu , Ni , Bulun

karşılaştırması. Oda sıcaklığında silisyum için , Ni yaklaşık 1.5 x 10 ^ 10 taşıyıcılar /cm ^ 3 .
2.

ücrettentermal gerilimi hesaplayınız . VT k Boltzmann sabitidir denklemi
VT = kx T /q,
ile verilir – 1.38 x 10 ^ -23 Joule /K ,
T, Kelvin cinsinden ölçülür ,
qelektron yüküdür – . 1.6 x 10 ^ -19 coulomb 300K anda
, bu = 1.38 x 10 ^ -23 x 300 /1.6 x 10 ^ -19 = 0.025
VT verir < br . >
3

alıcı ve verici taşıyıcı yoğunlukları belirleyin . Varolan bir malzeme varsa , buüretim süreci tarafından belirlenecek ve bir malzemesi tasarımı yapıyorsanız, bu istediğinizözellikleri maç için seçecektir . Açıklama amacıyla,alıcı yoğunluğu, NA , 10 ^ 3 ^ 18/cm ve donör yoğunluğu , ND, 10 ^ 16/cm ^ 3 olduğunu varsayalım.
4

üzerindeki gerilimi hesaplamak denklemi iletükenme bölge V = VT x ln
( NA ND /Ni ^ 2 x )
Örneğin,
V = 0.025 x ln ( 10 ^ 18 x 10 ^ 16 /( 1.5 x 10 ^ 10 ) ^ 2 ) ,
V = 0.79 V.