ince metal filmler uygulama süreciiletken ve manyetik sanayi önemli bir parçasıdır . Işlem iki ana tip metal filmlerin büyüme ve metal filmlerin gravür içerir. Büyüme , örneğin buharlaştırma ya da püskürtme gibi bir yöntemle, bir metalik malzemenin çökelmesini içerir. Aşındırma ters bir işlemdir ve belli kimyasal maruz bırakılarak veya iyonize gaz molekülleri ile malzeme bombardıman tarafından seçici madde çıkarılır. Aşındırma Aşındırma

malzemenin seçici kaldırılmasıdır. Malzemeyi aşındırma için iki ana yöntem vardır . Kimyasal dağlama genellikle sağlam numunenin diğer bölgeler ise gerçekte belirli bir malzemeyi çıkarmak için kullanılır. Bir örnek seçici silikon dioksiti çıkarmak için hidroflorik asit kullanılmasıdır. Etch için ikinci bir yol , argon gibi bir gaz , tanıtmak daha sonra bir vakum odası içine örnek yerleştirmektir. Daha sonra argon elektrot bir dizi ile iyonize edilmiş ve numune karşı hızlanır. Iyonlarörnek bombardıman ve malzeme çıkarmak . Numunenin tüm parçaları bombardıman yana, bir seçici aşındırma değildir , ve maruz kalan tüm yüzeyler malzeme bertaraf olacaktır . Metal Kalınlığı
Azaltma

herhangi bir metal merceğin bir etch numune, numunenin en kalınlığı azaltacaktır. Bu genellikleetch istenen sonuçtur . Malzeme belirli bir miktar çıkarmak amacıyla, metal , örneğin , bir dakika bir zaman sabit bir miktar için etch maruz kalması gerekmektedir. Kalınlığı sonra bu tür saniyede 10 nanometre gibi bir aşındırma oranı , almak için ölçülmesi gerekiyor .
Film Pürüz

rağmen bir ileamaç etchmetal kalınlığını azaltmak için , bu normal bir fiyata geliyor . Metalik film sertliği çok önemli bir miktar olabilir ve tipik olarak bir atomik kuvvet mikroskopu adı verilen bir cihazla ölçülür. Genellikle,uzun bir malzemedahametalik film pürüz olur , kazınmış .
Tane Boyutu

Metalik filmler tipik olan küçük taneleri birçok milyonlarca oluşur 5-100 nanometre boyut aralığı . Metalik filmler kazınır olarak, tane büyüklüğü ve ortalama büyüklüğü azaltılabilir , ancak bu bir iyon dağlama ise, bu etch tipine ,zaman ve güç etch etch üzerine son derece bağlıdır.